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新型電力變壓器中七大問題

該信息來自：上海雷郎電器設備制造有限公司瀏覽量：4640 發(fā)表時間：2012-05-04

　1變壓器的投入問題
　　與文獻2相比，變壓器投入造成合閘飽和所形成的浪涌電流較大。為減小鐵心體積，一般變壓器的工作磁感應強度Bm選在B－H曲線接近拐點處，合閘瞬間最壞情況是磁感應強度最大為2Bm＋Br（剩磁），顯然變壓器將出現(xiàn)飽和，造成晶閘管損壞和電壓波形的畸變。為防止合閘瞬間飽和，可選擇Bm≤Bs/3。
　　2觸發(fā)驅(qū)動問題
　　晶閘管作為電流控制器件，當觸發(fā)脈沖的持續(xù)時間較小時，脈沖幅度必須相應增加。同時，脈沖寬度也取決于陽極電流達到擎住電流的時間。在本系統(tǒng)中，由于感性負載的存在，陽極電流上升率較低，若不施加較強的寬脈沖觸發(fā)，則晶閘管往往不能維持導通狀態(tài)�？紤]負載是感性的，本系統(tǒng)采用電平觸發(fā)，其缺點是晶閘管損耗較大。
　　3晶閘管阻斷問題
　　晶閘管是一種雪崩式器件，這種器件的導通是由于在中間集電結(jié)上載流子的成倍增加引起的，在應用過程中，影響關(guān)斷時間的因素有結(jié)溫、通態(tài)電流及其下降率、反向恢復電流下降率、反向電壓及正向dv/dt值等。其中以結(jié)溫及反向電壓影響最大。結(jié)溫愈高，關(guān)斷時間愈長；反壓越高，關(guān)斷時間愈短。
　　在系統(tǒng)中，由于感性負載的存在，在換流過程中，電感兩端會產(chǎn)生很高的反電動勢，這個異常電壓加在晶閘管兩端，容易引起晶閘管損壞。為防止這種情況，通常應采用浪涌電壓吸收電路。
4dv/dt、di/dt效應問題
　　晶閘管的斷態(tài)電壓上升率dv/dt較大的時候，有可能在比它的正向轉(zhuǎn)折電壓低得很多的電壓下導通。如果電路上的dv/dt超過器件允許的dv/dt值時，晶閘管就會誤導通而失去阻斷能力。在應用電路中，將晶閘管的門極通過電阻與陰極相連，從外部將位移電流旁路掉，以防止dv/dt引起的誤導通。
　　di/dt過大容易造成晶閘管擊穿，在電路中，采用前沿陡峻的強電平觸發(fā)以增大初始導通面積，進而改善di/dt容量。
　　由于dv/dt較大引起的誤觸發(fā)和di/dt過大引起的晶閘管擊穿現(xiàn)象，其后果是十分嚴重的。從圖1可以看出，這種情況的出現(xiàn)會導致直通現(xiàn)象，造成晶閘管的損壞甚至損壞變壓器。在電路設計中，采用可靠的晶閘管通斷檢測及限流措施，可以避免這種故障的發(fā)生。
5過電壓及過電流保護措施
　　過電壓的產(chǎn)生，主要有以下原因：
　�。�1）變壓器投入時的浪涌電壓；
　�。�2）變壓器抽頭轉(zhuǎn)換時產(chǎn)生的浪涌電壓；
　�。�3）雷電侵入時的浪涌電壓；
　�。�4）直流回路斷路時產(chǎn)生的浪涌電壓。
　　在電路中，加入浪涌吸收器可以吸收變壓器一次系統(tǒng)電磁轉(zhuǎn)移而侵入的浪涌電壓，同時還能吸收變壓器通斷時產(chǎn)生的變壓器磁能。為避免雷電侵入時產(chǎn)生的浪涌電壓，可采用半導體避雷器。
　　在系統(tǒng)中，為避免誤觸發(fā)引起的直通現(xiàn)象，可以采用如下技術(shù)措施：
　�。�1）確保晶閘管的觸發(fā)信號可靠。利用軟件濾波程序使輸出觸發(fā)信號每組只有一個有效，再利用74LS273和防環(huán)流邏輯電路（PAL16V8），以確保即使在單片機失控的情況下也不會出現(xiàn)誤觸發(fā)。另外，觸發(fā)信號引線采用屏蔽線及其它抗干擾措施，以防止誤觸發(fā)現(xiàn)象的產(chǎn)生。
　　(2)確保換向可靠。在正常工作時，往往要改變補償電壓的大小，即調(diào)整晶閘管的導通組合。如果換向的時機或者組合不當就會形成直通而損壞晶閘管。在設計中采用過零點切換技術(shù)，最關(guān)鍵的是準確檢測晶閘管的工作狀態(tài)。為此，采取軟、硬件結(jié)合和互鎖技術(shù)，確保開關(guān)工作準確無誤。實際運行結(jié)果表明上述技術(shù)是可行的。
6感性負載的影響
　　由于感性負載的存在，應考慮加大觸發(fā)脈沖寬度，否則晶閘管在陽極電流達到擎住電流之前，觸發(fā)信號減弱，造成晶閘管不能正常導通。在關(guān)斷時，感性負載也會給晶閘管造成一些問題。
　　在實際系統(tǒng)中，采用電平觸發(fā)，以確保晶閘管可靠導通。
7過零開關(guān)技術(shù)
　　在調(diào)壓過程中，通過過零檢測而產(chǎn)生的信號來控制晶閘管門極觸發(fā)信號，保證其過零通斷，從而避免了在調(diào)壓過程中，由于晶閘管通斷對電網(wǎng)造成的污染。

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